SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。">

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soi指的是什么意思

回答
瑞文問答

2024-09-24

SOI(硅技術(shù))。
SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。

擴(kuò)展資料

  SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn):可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離,徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng);采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì),因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。此外,SOI材料還被用來制造MEMS光開關(guān),如利用體微機(jī)械加工技術(shù)。

  SOI應(yīng)用范圍:

  除了特異的優(yōu)點(diǎn),在集成電路中使用外,還被用于微光機(jī)電MEMS系統(tǒng)的制造,如3D反射鏡陣列開關(guān)。該反射鏡是在SOI襯底的活性層中形成可動(dòng)反射鏡,與另一臺(tái)階狀電極的襯底連接而成。由于使用單晶硅襯底,且在可動(dòng)反射鏡,直徑500微米,的上下面上對(duì)稱的以同一條件而形成反射膜等,因此,具有10納米級(jí)的翹曲與數(shù)十納米的表面粗糙度。

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